专利
专利名称：锗硅异质结双极型晶体管及其制造方法（201210004111.0）
专利号：201210004111.0
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-01-09
专利名称：锗硅HBT器件及制造方法（201210004445.8）
专利号：201210004445.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-01-06
专利名称：一种SiGe HBT器件及其制造方法（201210005131.X）
专利号：201210005131.X
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2012-01-10
专利名称：抬高源漏结构CMOS和Bipolar器件的集成方法（201110402826.7 ）
专利号：201110402826.7
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-12-07
专利名称：改善锗硅发射极多晶硅掺杂扩散均一性的方法（201110442724.8 ）
专利号：201110442724.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-12-26
专利名称：一种半导体双层保护层的制作工艺方法（201110359989.1 ）
专利号：201110359989.1
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-11-14
专利名称：用于射频工艺中的电感地屏蔽结构（201110385996.9 ）
专利号：201110385996.9
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-11-28
专利名称：监控多晶硅侧墙下轻掺杂注入稳定性的测试结构及方法（201110376912.5 ）
专利号：201110376912.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-11-23
专利名称：锗硅异质结双极晶体管及制造方法（201110388997.9 ）
专利号：201110388997.9
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-11-30
专利名称：MOS器件及其制备方法（201110412663.0 ）
专利号：201110412663.0
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-12-12
专利名称：MOS器件及其制造方法（201110412701.2 ）
专利号：201110412701.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-12-12
专利名称：MOS器件及制造方法（201110412694.6 ）
专利号：201110412694.6
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-12-12
专利名称：源漏多晶硅自对准干法刻蚀方法（201110388989.4 ）
专利号：201110388989.4
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-11-30
专利名称：基于光刻工艺窗口的OPC修正方法（201110415310.6 ）
专利号：201110415310.6
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-12-13
专利名称：一种低噪声放大器（201110388407.2 ）
专利号：201110388407.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-11-29
