专利
专利名称：一种SiGe BiCMOS工艺中的寄生PNP器件结构及其制造方法（201110348592.2 ）
专利号：201110348592.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-11-07
专利名称：锗硅BiCMOS工艺中纵向PNP器件及制作方法（201110282834.2 ）
专利号：201110282834.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-09-22
专利名称：一种锗硅异质结三极管器件结构及其制造方法（201110340182.3 ）
专利号：201110340182.3
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-11-01
专利名称：一种BICMOS工艺中的寄生N-I-P型PIN器件结构及其制造方法（201110340184.2）
专利号：201110340184.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-11-01
专利名称：锗硅HBT器件及其制造方法（201110317251.9 ）
专利号：201110317251.9
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-10-18
专利名称：一种SiGe HBT工艺中的PIS电容器及其制造方法（201110343136.9）
专利号：201110343136.9
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-11-03
专利名称：一种5V CMOS器件结构及其制造方法（201110348591.8 ）
专利号：201110348591.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-11-07
专利名称：一种SiGe HBT器件结构及其制造方法（201110342684.X ）
专利号：201110342684.X
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-11-03
专利名称：浅槽隔离结构及其进行离子注入的方法（201110350560.6 ）
专利号：201110350560.6
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-11-08
专利名称：具有深赝埋层的锗硅HBT器件及其制造方法（201110350565.9）
专利号：201110350565.9
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-11-08
专利名称：一种高速锗硅HBT器件结构及其制造方法（201110342692.4 ）
专利号：201110342692.4
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-11-03
专利名称：一种BiCOMS工艺中的VPNP器件结构及其制造方法（201110374464.5 ）
专利号：201110374464.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-11-21
专利名称：纵向PNP型三极管及其制造方法（201110431875.3 ）
专利号：201110431875.3
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-12-21
专利名称：SiGe HBT工艺中的自隔离型寄生PNP器件的制造方法（201110377076.2）
专利号：201110377076.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-11-23
专利名称：一种SiGe HBT工艺中的VPNP器件及其制造方法（201110433999.5 ）
专利号：201110433999.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-12-21
