专利
专利名称：一种SiGe HBT工艺中的寄生PNP器件结构及其制造方法（201110355476.3 ）
专利号：201110355476.3
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-11-11
专利名称：超高压锗硅HBT器件及其制造方法（201110370460.X ）
专利号：201110370460.X
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-11-21
专利名称：一种纵向PNP双极晶体管及其制造方法（201110376836.80
专利号：201110376836.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-11-23
专利名称：用于评价OPC效果的测试结构（201110335409.5 ）
专利号：201110335409.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-10-28
专利名称：用于提取HBT器件中基区寄生电阻的方法（201110346435.8）
专利号：201110346435.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-11-04
专利名称：RFCMOS射频相关性噪声的模型（201110352944.1）
专利号：201110352944.1
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-11-09
专利名称：差分电感仿真方法（201110428361.2 ）
专利号：201110428361.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-12-19
专利名称：PIN二极管的等效电路及其参数获取方法（201110370459.7 ）
专利号：201110370459.7
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-11-21
专利名称：锗硅HBT工艺中的横向寄生型PNP器件及制造方法（201110256104.5 ）
专利号：201110256104.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-09-01
专利名称：锗硅HBT工艺中垂直寄生型PNP三极管及制作方法（201110326310.9）
专利号：201110326310.9
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-10-24
专利名称：垂直寄生型PNP三极管及制造方法（201110326331.0）
专利号：201110326331.0
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-10-24
专利名称：PIN二极管阵列结构及其制造方法（201110316107.3）
专利号：201110316107.3
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-10-18
专利名称：锗硅HBT器件及制造方法（201110326312.8）
专利号：201110326312.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-10-24
专利名称：与锗硅异质结NPN三极管集成的PNP三极管的制造方法（201110353240.6）
专利号：201110353240.6
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-11-09
专利名称：锗硅异质结双极晶体管的制造方法（201110326337.8 ）
专利号：201110326337.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-10-24
