专利
专利名称：半自对准双极晶体管及其制作方法（201110326296.2 ）
专利号：201110326296.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-10-24
专利名称：自对准双极晶体管及其制作方法（201110363863.1）
专利号：201110363863.1
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-11-16
专利名称：自对准双极晶体管及其制造方法（201110389000.1 ）
专利号：201110389000.1
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-11-30
专利名称：锗硅HBT工艺中垂直寄生型PNP三极管及制作方法（201110363892.8 ）
专利号：201110363892.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-11-16
专利名称：去除双极型晶体管工艺中发射极多晶硅刻蚀残留的方法（201110344295.0）
专利号：201110344295.0
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-11-04
专利名称：BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件及其制造方法（201110412637.8）
专利号：201110412637.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-12-12
专利名称：BiCMOS工艺中的PN结变容器及制造方法（201110389007.3）
专利号：201110389007.3
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-11-30
专利名称：寄生横向型NPN器件及制造方法（201110388959.3 ）
专利号：201110388959.3
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-11-30
专利名称：锗硅边缘变薄引起的直流电流放大倍数增大的补偿方法（201110243845.X ）
专利号：201110243845.X
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-08-24
专利名称：锗硅双极CMOS跨多晶硅层的制备方法（201110242329.5 ）
专利号：201110242329.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-08-23
专利名称：锗硅HBT发射级光刻对准精度优化的方法（201110240918.X ）
专利号：201110240918.X
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-08-22
专利名称：锗硅薄膜监控片的制备方法及采用该片进行监控的方法（201110240913.7 ）
专利号：201110240913.7
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-08-22
专利名称：低噪声的锗硅异质结双极晶体管制作方法（201110240916.0 ）
专利号：201110240916.0
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-08-22
专利名称：适用于外延EPI工艺的零标形成方法（201110240915.6 ）
专利号：201110240915.6
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-08-22
专利名称：具有台阶的衬底的光刻方法（201110240764.4 ）
专利号：201110240764.4
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-08-22
