专利
专利名称：光学临近效应修正在线监控的方法（201110239039.5 ）
专利号：201110239039.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-08-19
专利名称：自对准锗硅异质结双极型三极管及其制作方法（201110231124.7 ）
专利号：201110231124.7
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-08-12
专利名称：化学气相淀积硅外延生长方法（201110177850.5 ）
专利号：201110177850.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-06-28
专利名称：与衬底同型的有源区上接触孔电阻的测试结构与方法（201110202776.8 ）
专利号：201110202776.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-07-20
专利名称：射频压焊块等效电路模型及其参数提取方法（201110213180.8 ）
专利号：201110213180.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-07-28
专利名称：防闩锁效应的保护环结构和验证方法（201110214893.6 ）
专利号：201110214893.6
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-07-29
专利名称：一种硅片薄膜的生长方法（201110172057.6）
专利号：201110172057.6
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-06-23
专利名称：接触孔刻蚀方法（201110146741.7）
专利号：201110146741.7
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-06-01
专利名称：静电保护结构（201110103518.4）
专利号：201110103518.4
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-04-25
专利名称：厚绝缘膜的工艺实现方法（201110049404.6）
专利号：201110049404.6
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-03-02
专利名称：低k1情况下的光刻方法（201110021005.9 ）
专利号：201110021005.9
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-01-19
专利名称：提高锗硅工艺中光刻对准精度的方法（201110059728.8）
专利号：201110059728.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-03-14
专利名称：锗硅BiCMOS工艺中的可变电容及制造方法（201110052252.5）
专利号：201110052252.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-03-04
专利名称：锗硅异质结双极晶体管工艺中可变电容及制造方法（201110052241.7）
专利号：201110052241.7
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-03-04
专利名称：射频开关芯片的在片测试结构和测试方法（201110023052.7 ）
专利号：201110023052.7
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-01-20
