专利
专利名称：锗硅HBT工艺中垂直寄生型PNP器件及制造方法（201110006703.1 ）
专利号：201110006703.1
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-01-13
专利名称：钳位二极管结构及其制备方法（201110022514.3 ）
专利号：201110022514.3
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-01-20
专利名称：功率二极管（201110027941.0 ）
专利号：201110027941.0
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-01-26
专利名称：P型埋层引出孔电阻值的监测结构（201110002423.3 ）
专利号：201110002423.3
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-01-07
专利名称：锗硅异质结双极型晶体管的基区结构（201110006712.0 ）
专利号：201110006712.0
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-01-13
专利名称：电压芯片设计的版图和原理图一致性比较方法（201110001008.6 ）
专利号：201110001008.6
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2011-01-05
专利名称：BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP三极管及制造方法（201010589124.X）
专利号：201010589124.X
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-12-15
专利名称：锗硅HBT结构、其赝埋层结构及其制造方法（201010596273.9）
专利号：201010596273.9
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-12-20
专利名称：降低测试串扰的RFID芯片结构及测试方法（201010582563.8）
专利号：201010582563.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-12-10
专利名称：锗硅异质结NPN晶体管及制造方法（201010588822.8）
专利号：201010588822.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-12-15
专利名称：锗硅异质结NPN三极管器件及制造方法（201010595431.9）
专利号：201010595431.9
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-12-17
专利名称：锗硅异质结NPN三极管及制造方法（201010592153.1）
专利号：201010592153.1
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-12-16
专利名称：锗硅异质结双极晶体管及制造方法（201010590206.6）
专利号：201010590206.6
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-12-15
专利名称：叠层射频变压器结构（201010578320.7）
专利号：201010578320.7
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-12-08
专利名称：射频工艺中射频隔离度的表征方法（201010559950.X）
专利号：201010559950.X
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-11-25
