专利
专利名称：高压锗硅异质结双极晶体管的制造方法（201010596089.4）
专利号：201010596089.4
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2015-02-15
专利名称：BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件及其制造方法（201010573379.7）
专利号：201010573379.7
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2015-02-15
专利名称：应用于锗硅工艺中多电源间的静电保护结构（201010576693.0）
专利号：201010576693.0
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-12-07
专利名称：静电保护结构（201010594706.7）
专利号：201010594706.7
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-12-17
专利名称：静电保护器件（201010593664.5）
专利号：201010593664.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-12-17
专利名称：基于锗硅工艺平台的静电保护结构（201010568044.6）
专利号：201010568044.6
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-12-01
专利名称：一种半导体器件的制作方法及器件结构（201010543832.X）
专利号：201010543832.X
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-11-15
专利名称：一种高锗浓度的锗硅外延方法（201010533250.3）
专利号：201010533250.3
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-11-05
专利名称：深沟槽多晶硅形成方法（201010536583.1）
专利号：201010536583.1
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-11-09
专利名称：锗硅异质结双极晶体管（201010511184.X）
专利号：201010511184.X
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-10-19
专利名称：异质结双极晶体管性能测试方法及测试系统（201010605624.8）
专利号：201010605624.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-12-27
专利名称：射频噪声去嵌入方法（201010533065.4）
专利号：201010533065.4
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-11-05
专利名称：锗硅异质结双极晶体管（201010507418.3）
专利号：201010507418.3
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-10-14
专利名称：锗硅HBT工艺中的横向型寄生PNP器件（201010288776.X）
专利号：201010288776.X
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-09-21
专利名称：BiCMOS工艺中垂直寄生型PNP器件及制造方法（201010585594.9）
专利号：201010585594.9
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-12-13
