专利
专利名称：BiCMOS工艺中的PN结变容器及制造方法（201010585008）
专利号：201010585008.0
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-12-13
专利名称：锗硅BiCMOS工艺中垂直型PNP三极管及制造方法（201010291876.8）
专利号：201010291876.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-09-26
专利名称：BiCMOS工艺中的PIN器件（201010504077.4）
专利号：201010504077.4
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-10-12
专利名称：锗硅BiCMOS工艺中的寄生PNP双极晶体管（201010278159.1）
专利号：201010278159.1
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-09-10
专利名称：锗硅HBT的埋层形成方法（201010550588.X）
专利号：201010550588.X
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-11-19
专利名称：发射极掺杂多晶硅的制造方法（201010514579.5）
专利号：201010514579.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-10-21
专利名称：BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件及制造方法（201010275455.6）
专利号：201010275455.6
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-09-08
专利名称：赝埋层及制造方法、深孔接触及三极管（201010275532.8）
专利号：201010275532.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-09-08
专利名称：双极CMOS工艺中的有源区边墙及制造方法（201010275535.1）
专利号：201010275535.1
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-09-08
专利名称：接触孔的刻蚀方法（201010276881.1）
专利号：201010276881.1
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-09-09
专利名称：锗硅异质结双极晶体管（201010291766.1）
专利号：201010291766.1
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-09-26
专利名称：PiN二极管及其制造方法（201010504117.5）
专利号：201010504117.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-10-12
专利名称：SiGe监控片的制备方法及采用该片进行监控的方法（201010511397.2）
专利号：201010511397.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-10-19
专利名称：BiCMOS工艺中的寄生PIN二极管及制造方法（201010265370.X）
专利号：201010265370.X
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-08-26
专利名称：锗硅监控片的制备方法及采用该片进行监控的方法（201010511414.2）
专利号：201010511414.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-10-19
