专利
专利名称：SiGe HBT工艺中的寄生横向型PNP三极管及制造方法（201010270109.9）
专利号：201010270109.9
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-08-31
专利名称：SiGe HBT工艺中的横向型寄生PNP器件及制造方法（201010251571.4）
专利号：201010251571.4
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-08-12
专利名称：BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件及其制造方法（201010270115.4）
专利号：201010270115.4
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-08-31
专利名称：锗硅异质结双极晶体管及制造方法（201010245833.6）
专利号：201010245833.6
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-08-05
专利名称：应用于外延工艺中的光刻套刻标记的制备方法（201010511407.2）
专利号：201010511407.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-10-19
专利名称：BiCMOS工艺中的寄生PIN器件组合结构及制造方法（201010270116.9）
专利号：201010270116.9
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-08-31
专利名称：双极型晶体管的器件失配的修正方法（201010269255.X）
专利号：201010269255.X
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-09-03
专利名称：电阻的器件失配的修正方法（201010270796.4）
专利号：201010270796.4
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-09-03
专利名称：BiCMOS工艺中的寄生PIN器件及制造方法（201010265357.4）
专利号：201010265357.4
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-08-26
专利名称：可等比例缩小的模拟叠层电感的电路结构及方法（201010507355.1）
专利号：201010507355.1
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-10-14
专利名称：采用不同层金属引线连出的无源器件测试去嵌方法（201010257290.X）
专利号：201010257290.X
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-08-19
专利名称：双极型晶体管结电容的提取方法（201010233622.0）
专利号：201010233622.0
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-07-22
专利名称：对不同尺寸双极型晶体管进行仿真的方法及仿真模型（201010233612.7）
专利号：201010233612.7
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-07-22
专利名称：片上型四端口射频器件射频测试的去嵌方法（201010221573.9）
专利号：201010221573.9
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-07-08
专利名称：螺旋状电感结构（201010027332.0）
专利号：201010027332.0
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-01-20
