专利
专利名称：锗硅异质结三极管的版图结构（201010027331.6）
专利号：201010027331.6
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-01-20
专利名称：电阻实现方法及电阻（201010027306.8）
专利号：201010027306.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-01-20
专利名称：改善杂质注入型多晶硅发射极杂质浓度分布的方法（201010027290.0）
专利号：201010027290.0
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-01-18
专利名称：改善SiGe工艺中发射极窗口图形形成的方法(201010027288.3）
专利号：201010027288.3
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-01-18
专利名称：用于锗硅碳器件的光刻标记结构(201010027287.9)
专利号：201010027287.9
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-01-18
专利名称：双极晶体管(201010027284.5)
专利号：201010027284.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-01-18
专利名称：获得交替的P型和N型半导体的方法(201010027237.0)
专利号：201010027237.0
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-01-08
专利名称：改善锗硅或锗硅碳单晶与多晶交界面形貌的方法(201010027233.2)
专利号：201010027233.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-01-06
专利名称：改善锗硅或锗硅碳单晶体与多晶体交界面形貌的方法(201010027232.8)
专利号：201010027232.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-01-06
专利名称：基于BiCMOS工艺的PIP电容形成方法(201010027231.3)
专利号：201010027231.3
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-01-06
专利名称：射频MOS变容器的模拟方法(201010027224.3)
专利号：201010027224.3
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2010-01-05
专利名称：双极晶体管的集电区和集电区埋层的制造工艺方法（200910202080.8)
专利号：200910202080.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-12-31
专利名称：双极晶体管的集电区和集电区埋层的制造方法（200910202069.1）
专利号：200910202069.1
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-12-31
专利名称：场氧化隔离工艺中的电极引出结构（200910202068.7）
专利号：200910202068.7
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-12-31
专利名称：BiCMOS工艺中的寄生垂直型PNP器件（200910202067.2）
专利号：200910202067.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-12-31
