专利
专利名称：浅沟槽隔离工艺中的电极引出结构（200910202066.8）
专利号：200910202066.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-12-31
专利名称：BiCMOS工艺中的寄生垂直型PNP三极管及其制造方法（200910202031.4）
专利号：200910202031.4
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-12-24
专利名称：SiGe HBT工艺中的寄生横向型PNP三极管及其制造方法（200910202005.1）
专利号：200910202005.1
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-12-21
专利名称：SiGe异质结双极晶体管多指结构（200910202009.X）
专利号：200910202009.X
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-12-21
专利名称：双极晶体管（200910202011.7）
专利号：200910202011.7
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-12-21
专利名称：SiGe HBT工艺中的寄生横向型PNP三极管（200910202010.2）
专利号：200910202010.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-12-21
专利名称：降低接触孔内形成的肖特基接触漏电的方法（200910201961.8）
专利号：200910201961.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-12-18
专利名称：实现硅锗异质结晶体管基区窗口的方法（200910201936.X）
专利号：200910201936.X
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-12-15
专利名称：BiCMOS工艺中的寄生垂直型PNP三极管及其制造方法（200910201947.8）
专利号：200910201947.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-12-15
专利名称：高压双极晶体管（200910201946.3）
专利号：200910201946.3
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-12-15
专利名称：硅锗异质结晶体管及其制造方法（200910201939.3）
专利号：200910201939.3
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-12-15
专利名称：半自对准双极晶体管及其制造工艺方法（200910201928.5）
专利号：200910201928.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-12-15
专利名称：利用金属并联的多层堆叠电感（200910201909.2）
专利号：200910201909.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-12-09
专利名称：SiGe BiCMOS工艺中的PNP双极晶体管（200910201914.3）
专利号：200910201914.3
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-12-08
专利名称：填充高深宽比沟槽的外延工艺方法（200910201876.1）
专利号：200910201876.1
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-11-30
