专利
专利名称：应用锗硅工艺的多晶二极管及其制作方法（200910201867.2）
专利号：200910201867.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-11-26
专利名称：应用锗硅工艺的多晶三极管及其制作方法（200910201866.8）
专利号：200910201866.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-11-26
专利名称：用无掺杂氧化硅作为多晶硅帽层制作自对准接触孔的方法（200910201837.1）
专利号：200910201837.1
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-11-18
专利名称：双极晶体管仿真方法（200910201833.3）
专利号：200910201833.3
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-11-18
专利名称：SiGe BiCMOS工艺中的SiGe PNP双极晶体管（200910201831.4）
专利号：200910201831.4
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-11-18
专利名称：三端口射频器件射频参数测试方法（200910201829.7）
专利号：200910201829.7
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-11-18
专利名称：四端口射频器件射频参数测试方法（200910201828.2）
专利号：200910201828.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-11-18
专利名称：多单元射频晶体管的射频参数模拟方法（200910201793.2）
专利号：200910201793.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-11-12
专利名称：SiGe异质结双极晶体管发射极制作工艺方法(200910201791.3)
专利号：200910201791.3
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-11-12
专利名称：应用于锗硅三极管的轻参杂二极管结构(200910201790.9)
专利号：200910201790.9
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-11-12
专利名称：SiGe异质结双极型晶体管的制作方法(200910201754.2)
专利号：200910201754.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-11-05
专利名称：超高频硅锗异质结双极晶体管(200910201691.0)
专利号：200910201691.0
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-10-16
专利名称：为SiGe薄膜定量分析制作的标准样品及制备方法(200910201679.X)
专利号：200910201679.X
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-10-15
专利名称：控制硅锗合金刻面生长效果的方法(200910057983.1)
专利号：200910057983.1
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-09-29
专利名称：硅-锗异质结双极晶体管及其制造方法(200910057979.5)
专利号：200910057979.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-09-29
