专利
专利名称：使用X-射线特征谱对SiGe薄膜进行定量分析的方法(200910057929.7)
专利号：200910057929.7
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-09-22
专利名称：BiCMOS半导体结型可变电容及其制造方法（200910057632.0）
专利号：200910057632.0
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-07-23
专利名称：三极管及其制造方法（200910057612.3）
专利号：200910057612.3
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-07-20
专利名称：一种检测锗硅外延缺陷的方法（200910057606.8）
专利号：200910057606.8
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-07-16
专利名称：在BiCMOS工艺中制作PIP电容的方法（200910057597.2）
专利号：200910057597.2
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-07-13
专利名称：一种改善发射极窗口侧向开口的方法（200910057582.6）
专利号：200910057582.6
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-07-09
专利名称：锗硅Bi-CMOS器件制备工艺（200910057524.3）
专利号：200910057524.3
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-06-30
专利名称：锗硅栅极的PMOS的制备方法（200910057426.X）
专利号：200910057426.X
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-06-17
专利名称：提高Si/Ge发射极窗口图形保真度的方法（200910057427.4）
专利号：200910057427.4
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-06-17
专利名称：提高Si/Ge发射极窗口图形保真度的光学临近修正图形（200910057425.5）
专利号：200910057425.5
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-06-17
专利名称：半导体器件中金属电容的制备方法（200910057407.7）
专利号：200910057407.7
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-06-11
专利名称：锗-硅异质结双极晶体管及其制造方法（200910057387.3）
专利号：200910057387.3
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-06-08
专利名称：零标的形成方法（200910057071.4）
专利号：200910057071.4
专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
时间：2009-04-14
专利名称：一种抑制辐射引起背栅泄漏电流的SOI器件及其制备方法
专利号：201310169244.8
专利名称：一种抗辐射加固的SOI器件及其制备方法
专利号：201310167855.9
