专利

专利名称：具有SiGeSn沟道的MOSFET及其形成方法
专利号：201410063273.0
专利权人：清华大学
时间：2014-02-25
专利名称：具有GeSn沟道的MOSFET及其形成方法
专利号：201410064584.9
专利权人：清华大学
时间：2014-02-25
专利名称：具有SiGeSn源漏的鳍式场效应晶体管及其形成方法
专利号：201410063193.5
专利权人：清华大学
时间：2014-02-25
专利名称：具有GeSn源漏的鳍式场效应晶体管及其形成方法
专利号：201410064598.0
专利权人：清华大学
时间：2014-02-25
专利名称：具有SiGeSn沟道的鳍式场效应晶体管及其形成方法
专利号：201410063292.3
专利权人：清华大学
时间：2014-02-25
专利名称：具有GeSn沟道的鳍式场效应晶体管及其形成方法
专利号：201410064550.X
专利权人：清华大学
时间：2014-02-25
专利名称：具有SiGeSn源漏的MOSFET及其形成方法
专利号：201410063185.0
专利权人：清华大学
时间：2014-02-25
专利名称：具有GeSn源漏的MOSFET及其形成方法
专利号：201410063619.7
专利权人：清华大学
时间：2014-02-25
专利名称：选区SiGeSn层及其形成方法
专利号：201410063248.2
专利权人：清华大学
时间：2014-02-25
专利名称：选区GeSn层及其形成方法
专利号：201410064546.3
专利权人：清华大学
时间：2014-02-25
专利名称：SiGeSn层及其形成方法
专利号：201410063268.X
专利权人：清华大学
时间：2014-02-25
专利名称：GeSn层及其形成方法
专利号：201410063532.X
专利权人：清华大学
时间：2014-02-25
专利名称：集成梳状静电预加载的微纳材料力学性能检测结构
专利号：201310718672.1
专利权人：清华大学
时间：2013-12-24
专利名称：静电预加载的微纳材料力学性能检测结构
专利号：201310718936.3
专利权人：清华大学
时间：2013-12-24
专利名称：一种微纳材料力学性能检测结构
专利号：201310718674.0
专利权人：清华大学
时间：2013-12-24
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