专利

专利名称：金属源漏结构及其形成方法
专利号：201310553688.1
专利权人：清华大学
时间：2013-11-08
专利名称：半导体栅结构及其形成方法
专利号：201310553722.5
专利权人：清华大学
时间：2013-11-08
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201310589697.6
专利权人：清华大学
时间：2013-11-20
专利名称：衬底表面钝化方法和半导体结构形成方法
专利号：201310535651.6
专利权人：清华大学
时间：2013-11-01
专利名称：无结型隧穿场效应晶体管及其形成方法
专利号：201310499924.6
专利权人：清华大学
时间：2013-10-22
专利名称：多边形沟道层多栅结构隧穿晶体管及其形成方法
专利号：201310303453.7
专利权人：清华大学
时间：2013-07-18
专利名称：场效应晶体管及其形成方法
专利号：201310260078.2
专利权人：清华大学
时间：2013-06-26
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201310204460.1
专利权人：清华大学
时间：2013-05-28
专利名称：一种无结型纵向隧穿场效应晶体管
专利号：201310195707.8
专利权人：清华大学
时间：2013-05-23
专利名称：一种无结型横向隧穿场效应晶体管
专利号：201310195830.X
专利权人：清华大学
时间：2013-05-23
专利名称：具有大高宽比FIN 结构的三维半导体器件及其形成方法
专利号：201310169692.8
专利权人：清华大学
时间：2013-05-09
专利名称：存储结构及其形成方法
专利号：201310100415.1
专利权人：清华大学
时间：2013-03-26
专利名称：具有氧化铍的半导体结构
专利号：201210401590.X
专利权人：清华大学
时间：2012-10-19
专利名称：具有稀土氧化物的半导体结构
专利号：201210401766.1
专利权人：清华大学
时间：2012-10-19
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201210175345.1
专利权人：清华大学
时间：2012-05-30
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