专利
专利名称:半导体结构及其形成方法
专利号:201210175754.1
专利名称:半导体结构及其形成方法
专利号:201210161402.0
专利名称:一种半导体结构及其形成方法
专利号:201210161250.4
专利名称:一种动态随机存储器单元及其制备方法
专利号:201210161248.7
专利名称:一种FINFET动态随机存储器单元及其制备方法
专利号:201210161290.9
专利名称:多晶薄膜制备方法、多晶薄膜及由其制备的薄膜晶体管
专利号:201210120971.0
专利名称:异质栅隧穿晶体管及其形成方法
专利号:201210112464.2
专利名称:一种增强隧道穿透场效应晶体管
专利号:201210111383.0
专利名称:一种半导体结构及其形成方法
专利号:201210065893.9
专利名称:具有异质栅介质的隧穿晶体管及其形成方法
专利号:201210067456.0
专利名称:具有异质栅介质的隧穿晶体管及其形成方法
专利号:201210067625.0
专利名称:具有水平准同轴电缆结构的隧穿晶体管及其形成方法
专利号:201210035782.3
专利名称:具有水平准同轴电缆结构的隧穿晶体管及其形成方法
专利号:201210035540.4
专利名称:一种快闪存储器及其制备方法
专利号:201210034491.2
专利名称:一种耐高压隧穿晶体管及其制备方法
专利号:201210034358.7