专利

专利名称：具有准同轴电缆结构的隧穿晶体管及其形成方法
专利号：201210015369.0
专利权人：清华大学
时间：2012-01-17
专利名称：具有准同轴电缆结构的隧穿晶体管及其形成方法
专利号：201210015260.7
专利权人：清华大学
时间：2012-01-17
专利名称：一种耐高压的隧穿晶体管及其制备方法
专利号：201210009396.7
专利权人：清华大学
时间：2012-01-12
专利名称：基于压控振荡器量化器的时分SD调制器
专利号：201110409929.6
专利权人：清华大学
时间：2011-12-09
专利名称：一种具有应变结构的VDMOS器件及其制备方法
专利号：201110425008.9
专利权人：清华大学
时间：2011-12-16
专利名称：一种背面嵌入应变介质区的VDMOS器件及其制备方法
专利号：201110415713.0
专利权人：清华大学
时间：2011-12-13
专利名称：具有悬空源漏的隧穿场效应晶体管结构及其形成方法
专利号：201110338222.0
专利权人：清华大学
时间：2011-10-31
专利名称：具有金属源漏的半导体结构及其形成方法
专利号：201110326460.X
专利权人：清华大学
时间：2011-10-24
专利名称：高速低噪声半导体器件结构及其形成方法
专利号：201110003095.9
专利权人：清华大学
时间：2011-01-07
专利名称：栅控肖特基结隧穿场效应晶体管及其形成方法
专利号：201110003177.3
专利权人：清华大学
时间：2011-01-07
专利名称：互补隧道穿透场效应晶体管及其形成方法
专利号：201110086616.1
专利权人：清华大学
时间：2011-04-07
专利名称：采用MOS器件实现的低功耗带宽倍增运算放大器
专利号：201110061084.6
专利权人：清华大学
时间：2011-03-15
专利名称：采用MOS器件实现的低压低功耗带隙基准电压源
专利号：201110061333.1
专利权人：清华大学
时间：2011-03-15
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201110149704.1
专利权人：清华大学
时间：2011-06-03
专利名称：一种具有悬空源漏的半导体结构及其形成方法
专利号：201110149821.8
专利权人：清华大学
时间：2011-06-03
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