专利

专利名称：具有悬空源漏的半导体结构及其形成方法
专利号：201110149943.7
专利权人：清华大学
时间：2011-06-03
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201110149946.0
专利权人：清华大学
时间：2011-06-03
专利名称：具有悬空源漏的半导体结构及其形成方法
专利号：201110149727.2
专利权人：清华大学
时间：2011-06-03
专利名称：采用MOS器件实现的宽带低功耗轨到轨放大器
专利号：201110061082.7
专利权人：清华大学
时间：2011-03-15
专利名称：具有悬空源漏的半导体结构及其形成方法
专利号：201110149714.5
专利权人：清华大学
时间：2011-06-03
专利名称：基于MOS器件的宽带低功耗斩波稳定轨到轨放大器
专利号：201110061217.X
专利权人：清华大学
时间：2011-03-15
专利名称：半导体结构及其制造方法
专利号：201110125778.1
专利权人：清华大学
时间：2011-05-16
专利名称：半导体结构及其制造方法
专利号：201110126554.2
专利权人：清华大学
时间：2011-05-16
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201110080303.5
专利权人：清华大学
时间：2011-03-30
专利名称：跨导增强的回收电流折叠MOS管共源共栅放大器
专利号：201110061331.2
专利权人：清华大学
时间：2011-03-15
专利名称：具有隧穿介质层的栅控肖特基结场效应晶体管及形成方法
专利号：201110061729.6
专利权人：清华大学
时间：2011-03-15
专利名称：基于MOS器件的宽带低功耗电流回收斩波稳定放大器
专利号：201110061079.5
专利权人：清华大学
时间：2011-03-15
专利名称：具有异质栅极功函数的隧穿场效应晶体管及其形成方法
专利号：201110049788.1
专利权人：清华大学
时间：2011-03-01
专利名称：基于异质栅极功函数的隧穿场效应晶体管及其形成方法
专利号：201110049183.2
专利权人：清华大学
时间：2011-03-01
专利名称：基于MOS器件的低功耗带宽倍增斩波稳定运算放大器
专利号：201110061266.3
专利权人：清华大学
时间：2011-03-15
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