专利
专利名称：宽带低功耗对称折叠MOS管共源共栅放大器
专利号：201110061216.5
专利名称：基于应变硅技术的P沟VDMOS器件
专利号：201010116769.1
专利名称：一种硅衬底上制作化合物半导体MMIC芯片的方法
专利号：201010191071.6
专利名称：一种高速半导体器件结构及其形成方法
专利号：201010520406.4
专利名称：高性能CMOS器件
专利号：201010273834.1
专利名称：一种高性能CMOS器件
专利号：201010273831.8
专利名称：一种高性能场效应晶体管及其形成方法
专利号：201010268624.3
专利名称：高性能场效应晶体管及其形成方法
专利号：201010268632.8
专利名称：通过低温实现选择性生长含Ge材料层的方法
专利号：201010212081.3
专利名称：低肖特基势垒半导体结构及其形成方法
专利号：201010183119.9
专利名称：一种具有应变沟道的CMOS器件结构及其形成方法
专利号：201010171859.0
专利名称：具有原位掺杂源漏的MOS结构及其形成方法
专利号：201010177623.8
专利名称：载流子迁移率的提取方法
专利号：201010177642.0
专利名称：半导体结构的形成方法
专利号：201010151185.8
专利名称：硅片上外延化合物半导体材料的过渡层单晶制备方法
专利号：200910238450.3
