专利
专利名称：利用掺杂超薄层吸附制备超薄绝缘体上材料的方法
专利号：15299645
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-09-25
专利名称：一种GOI晶片结构的制备方法
专利号：13825010
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-09-25
专利名称：基于混合晶向SOI及沟道应力的器件系统结构及制备方法
专利号：13811269
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-09-19
专利名称：一种锗硅异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法
专利号：13811268
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-09-19
专利名称：一种全隔离混合晶向SOI的制备方法
专利号：13636126
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-09-20
专利名称：锗和III-V混合共平面的SOI半导体结构及其制备方法
专利号：13636128
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-09-20
专利名称：锗和III-V混合共平面的半导体结构及其制备方法
专利号：13636127
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-09-20
专利名称：一种具有扩展型沟槽的DRAM结构及其制备方法
专利号：13002320
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2010-12-31
专利名称：防止浮体及自加热效应的MOS器件结构及其制造方法
专利号：13127276
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2010-09-07
专利名称：防止浮体及自加热效应的MOS器件结构及其制备方法
专利号：13128439
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2010-09-08
专利名称：一种SOI电路中的ESD保护结构及制作方法
专利号：13002303
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2010-12-30
专利名称：形成带有MIM电容器的铜互连结构的方法及所形成的结构
专利号：12937264
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2010-10-11
专利名称：一种浮体动态随机存储器的单元结构及其制作工艺
专利号：12937257
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2010-10-09
专利名称：一种浮体动态随机存储器的单元结构及其制作工艺
专利号：12934745
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2010-09-29
专利名称：混合材料反型模式全包围栅CMOS场效应晶体管
专利号：12810619
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2010-06-25
