专利

专利名称：混合晶向反型模式全包围栅CMOS场效应晶体管
专利号：12810740
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2010-06-25
专利名称：混合材料反型模式圆柱体全包围栅CMOS场效应晶体管
专利号：12810694
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2010-06-25
专利名称：混合材料积累型全包围栅CMOS场效应晶体管
专利号：12810648
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2010-06-25
专利名称：混合材料积累型圆柱体全包围栅CMOS场效应晶体管
专利号：12810594
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2010-06-25
专利名称：混合晶向积累型全包围栅CMOS场效应晶体管
专利号：12810574
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2010-06-25
专利名称：全包围栅CMOS场效应晶体管
专利号：12810578
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2010-06-25
专利名称：一种厚度可控的绝缘体上半导体材料的制备方法
专利号：2013103828404
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2013-03-22
专利名称：一种低剂量注入制备绝缘体上半导体材料的方法
专利号：2013103828387
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2013-01-23
专利名称：一种利用C掺杂SiGe调制层制备SGOI或GOI的方法
专利号：2013104476101
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2013-01-06
专利名称：一种利用离子注入技术制备绝缘体上半导体材料的方法
专利号：2013104476313
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-12-31
专利名称：一种绝缘体上含锗薄膜结构的制备方法
专利号：201310724004X
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-12-31
专利名称：一种SGOI结构的制备方法
专利号：2013107244657
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-12-31
专利名称：GOI结构的制备方法
专利号：2013107240177
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-12-28
专利名称：剥离位置精确可控的绝缘体上材料的制备方法
专利号：2013107324187
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-12-26
专利名称：一种基于混合加热制备绝缘体上材料的方法
专利号：2013107324168
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-12-26
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