专利
专利名称：一种石墨烯调制的高K 金属栅Ge 基MOS 器件的制作方法
专利号：201310095306.5
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-12-20
专利名称：基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法
专利号：2013100244143
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-12-20
专利名称：一种制备柔性衬底上半导体亚微米带的方法及柔性光波导
专利号：2013100037603
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-10-15
专利名称：一种制备直接带隙Ge薄膜的方法
专利号：2012105938086
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-07-02
专利名称：基于图形识别在衬底上集成多种材料的方法
专利号：201210593800X
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-07-02
专利名称：微结构保角性转移方法
专利号：201210593568X
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-05-31
专利名称：一种制备高单晶质量的张应变锗纳米薄膜的方法
专利号：2012105872426
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-05-31
专利名称：混合共平面衬底结构及其制备方法
专利号：2012105756586
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-05-31
专利名称：混合共平面SOI衬底结构及其制备方法
专利号：2012105753126
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-05-31
专利名称：一种GOI晶片结构的制备方法
专利号：201210225637.1
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-05-31
专利名称：利用锗浓缩技术制备SiGe或Ge纳米线的方法
专利号：201210225391.8
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-05-10
专利名称：一种CMOS器件及其制作方法
专利号：201210175119.3
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-02-27
专利名称：一种绝缘体上半导体及其制备方法
专利号：201210175117.4
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-02-27
专利名称：一种具有周期结构的半导体及其制备方法
专利号：201210174632
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-02-07
专利名称：基于混合晶向SOI及沟道应力的器件系统结构及制备方法
专利号：201210046230.2
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-01-12
