专利
专利名称：基于混合晶向SOI的器件系统结构及制备方法
专利号：201210045455.6
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2012-01-12
专利名称：一种混合晶向绝缘体上锗晶片及器件的制备方法
专利号：201110449534.9
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-12-29
专利名称：一种超薄绝缘体上半导体材料及其制备方法
专利号：201110418133.7
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-12-14
专利名称：一种制备GOI的方法
专利号：201110418797.3
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-12-14
专利名称：一种直接带隙Ge薄膜的制备方法及层叠结构
专利号：201110325364.3
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-10-24
专利名称：一种制备张应变Ge薄膜的制备方法及层叠结构
专利号：201110324589.7
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-10-24
专利名称：一种薄GOI 晶片的制作方法
专利号：201110282849.9
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-09-22
专利名称：一种锗硅异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法
专利号：201110279693.9
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-09-20
专利名称：一种选择性刻蚀制备全隔离混合晶向SOI的方法
专利号：201110125592.6
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-05-16
专利名称：一种全隔离混合晶向SOI的制备方法
专利号：201110125558.9
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-05-16
专利名称：锗和III-V混合共平面的SOI半导体结构及其制备方法
专利号：201110126382.9
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-05-16
专利名称：锗和III-V混合共平面的半导体结构及其制备方法
专利号：201110126394.1
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2011-05-16
专利名称：基于混合晶向SOI工艺的CMOS环形振荡器及制备方法
专利号：201010507239.X
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2010-10-14
专利名称：一种SON结构MOSFET的制备方法
专利号：2.0101E+11
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2010-07-22
专利名称：大角度离子注入抑制SOI MOS器件浮体效应的方法
专利号：2.0101E+11
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2010-01-28
