专利
专利名称：一种SOI电路中的ESD保护结构及制作方法
专利号：ZL201010532715.3
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2010-11-04
专利名称：一种具有扩展型沟槽的DRAM结构及其制备方法(PMOS)
专利号：ZL201010263965.1
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2010-08-24
专利名称：一种具有扩展型沟槽的DRAM结构及其制备方法(NMOS)
专利号：ZL201010264004.2
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2010-08-24
专利名称：防止浮体及自加热效应的MOS器件结构及其制造方法
专利号：ZL201010212134.1
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2010-06-25
专利名称：防止浮体及自加热效应的MOS器件结构及其制备方法
专利号：ZL201010212125.2
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2010-06-25
专利名称：形成铜互连MIM电容器结构的方法及所形成的结构
专利号：ZL201010114118.9
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2010-02-25
专利名称：一种浮体动态随机存储器的单元结构及其制作工艺
专利号：ZL200910200965.4
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2009-12-25
专利名称：一种浮体动态随机存储器的单元结构及其制作工艺
专利号：ZL200910200964.X
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2009-12-25
专利名称：一种通过氧离子注入退火制备绝缘体上锗材料的方法
专利号：ZL200910200126.2
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2009-12-08
专利名称：混合材料积累型圆柱体全包围栅CMOS场效应晶体管
专利号：ZL200910199721.9
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2009-12-01
专利名称：混合晶向积累型全包围栅CMOS场效应晶体管
专利号：ZL200910199725.7
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2009-12-01
专利名称：混合晶向反型模式全包围栅CMOS场效应晶体管
专利号：ZL200910199724.2
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2009-12-01
专利名称：混合材料反型模式圆柱体全包围栅CMOS场效应晶体管
专利号：ZL200910199720.4
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2009-12-01
专利名称：混合材料积累型全包围栅CMOS场效应晶体管
专利号：ZL200910199723.8
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2009-12-01
专利名称：混合材料反型模式全包围栅CMOS场效应晶体管
专利号：ZL200910199722.3
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2009-12-01
