专利
专利名称：一种混晶材料的制备方法及用该材料制备的半导体器件
专利号：ZL200910198914.2
专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
时间：2009-11-17
专利名称：制备源漏准SOI 多栅结构器件的方法
专利号：201310103543.1
专利名称：调节多栅结构器件阈值电压的方法
专利号：201310103272.X
专利名称：一种锗基肖特基结的制备方法
专利号：201310084986
专利名称：垂直非均匀掺杂沟道的短栅隧穿场效应晶体管及制备方法
专利号：201310084972.9
专利名称：带双扩散的条形栅隧穿场效应晶体管及其制备方法
专利号：201210501691.4
专利名称：条形栅调制型隧穿场效应晶体管及其制备方法
专利号：201210486683.7
专利名称：锗基衬底表面钝化方法
专利号：201210397259.5
专利名称：一种锗基衬底的表面钝化方法
专利号：201210383308.X
专利名称：锗、三五族半导体材料衬底上制备FinFET 的方法
专利号：201210326467.6
专利名称：在体硅上制备独立双栅FinFET 的方法
专利号：201210313475.7
专利名称：一种锗锡隧穿场效应晶体管及其制备方法
专利号：201210289255.5
专利名称：一种预测SOI MOSFET 器件可靠性寿命的方法
专利号：201110322634.5
专利名称：一种减小辐射产生电荷收集的CMOS 器件及其制备方法
专利号：201110359705.9
专利名称：一种基于普通光刻和氧化工艺的超细线条制备方法
专利号：201110333277.2
