专利

专利名称：一种锗基MOS 器件衬底的表面钝化方法
专利号：201110259567.7
专利权人：
时间：2011-09-15
专利名称：一种垂直硅纳米线场效应晶体管的制备方法
专利号：2201110190786.4
专利权人：
时间：2011-09-10
专利名称：一种基于湿法腐蚀制备硅纳米线场效应晶体管的方法
专利号：201110138735.7
专利权人：
时间：2011-03-21
专利名称：一种用于集成电路制造的场区隔离方法
专利号：201110240897.1
专利权人：
时间：2011-02-25
专利名称：一种场效应晶体管自加热效应的温度测量方法
专利号：201110188149.3
专利权人：
时间：2011-10-28
专利名称：一种绝缘体上锗衬底的制备方法
专利号：201110170955.8
专利权人：
时间：2011-08-23
专利名称：一种锗基NMOS 器件及其制备方法
专利号：201110170991.4
专利权人：
时间：2011-03-16
专利名称：一种锗基NMOS 器件及其制备方法
专利号：201110171004.2
专利权人：
时间：2011-04-21
专利名称：一种绝缘体上锗衬的制备方法
专利号：201110138670.6
专利权人：
时间：2011-01-25
专利名称：一种半导体器件的栅介质层陷阱密度和位置的测试方法
专利号：201110153759.X
专利权人：
时间：2011-05-31
专利名称：一种以空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法
专利号：201110139453.9
专利权人：
时间：2011-10-19
专利名称：空气侧墙围栅硅纳米线晶体管的制备方法
专利号：201110139383.7
专利权人：
时间：2011-10-13
专利名称：以空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法
专利号：201110139305.7
专利权人：
时间：2011-03-25
专利名称：一种空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法
专利号：201110139058
专利权人：
时间：2011-01-26
专利名称：抑制隧穿晶体管泄漏电流的方法及相应的器件和制备方法
专利号：201310571563.1
专利权人：
时间：2013-05-17
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