专利

专利名称：CMOS 器件辐照位移损伤区在沟道相对位置的估算方法
专利号：201110103196.3
专利权人：
时间：2011-01-13
专利名称：无衬底引出半导体器件的栅介质层陷阱密度的测试方法
专利号：201110087463.2
专利权人：
时间：2011-08-16
专利名称：硅纳米线晶体管器件可编程阵列及其制备方法
专利号：201110089699.X
专利权人：
时间：2011-10-08
专利名称：一种利用直流源测试不同材料间边界热阻的方法
专利号：201110079809.4
专利权人：
时间：2011-07-23
专利名称：一种提取MOS 管沿沟道电荷分布的方法
专利号：201110053772.8
专利权人：
时间：2011-05-27
专利名称：一种测试方形纳米线边界热阻随尺度变化的方法
专利号：201110053084.1
专利权人：
时间：2011-05-23
专利名称：一种锗基肖特基N型场效应晶体管的制备方法
专利号：201110026949.5
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时间：2011-10-06
专利名称：一种具有超陡亚阈值斜率的阻变场效应晶体管及其制备方法
专利号：201110021582.8
专利权人：
时间：2011-02-15
专利名称：一种梳状栅复合源MOS 晶体管及其制作方法
专利号：201110021444.X
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时间：2011-10-14
专利名称：一种带杂质分凝的复合源MOS晶体管及其制备方法
专利号：201110021486.3
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时间：2011-10-21
专利名称：一种低功耗复合源结构MOS晶体管及其制备方法
专利号：201010560176.4
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时间：2010-05-06
专利名称：一种结调制型隧穿场效应晶体管及其制备方法
专利号：201310552567.5
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时间：2013-10-26
专利名称：制备准SOI 源漏场效应晶体管器件的方法
专利号：201310697719
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时间：2013-10-23
专利名称：一种基于纳米线器件的耐高压横向双向扩散晶体管
专利号：201110029706.7
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时间：2011-10-09
专利名称：基于氧化分凝的埋沟结构硅基围栅晶体管及其制备方法
专利号：201110029601.1
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时间：2011-11-02
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