专利
专利名称：一种基于多能级杂质改变半导体掺杂特性的半导体存储器
专利号：201110005329.3
专利名称：一种芯片的散热结构
专利号：201010571866.X
专利名称：一种钝化剂及采用该钝化剂对锗基器件表面预处理的方法
专利号：201010269030.4
专利名称：一种SOI场效应管的散热结构
专利号：201010259659
专利名称：一种制作准双栅MOSFET 晶体管的方法
专利号：ZL20071017629.2
专利名称：一种沟道应力引入方法及采用该方法制备的场效应晶体管
专利号：201010219177.2
专利名称：一种高一致性的阻变存储器及其制备方法
专利号：201310471167.1
专利名称：一种基于高介电常数材料的抗辐射SOI 器件及制备方法
专利号：201010128019.6
专利名称：一种基于氧化和化学机械抛光工艺制备超细线条的方法
专利号：201010128839.5
专利名称：一种测量FinFET 器件侧墙表面粗糙度的方法及装置
专利号：201310187691.6
专利名称：一种实时监测晶体管温度的热表征方法及结构
专利号：201010163419
专利名称：一种高一致性的高速阻变存储器及其制备方法
专利号：201310169538
专利名称：一种半导体锗基衬底材料及其制备方法
专利号：201010151362.2
专利名称：一种三面源隧穿场效应晶体管及其制备方法
专利号：201310576433.7
专利名称：基于TaOx 的自整流阻变存储器及其制备方法
专利号：201310141859.X
