专利

专利名称：一种高可靠性非挥发存储器及其制备方法
专利号：201310049320.1
专利权人：
时间：2013-04-21
专利名称：一种大规模集成电路中FinFET 的制备方法
专利号：201210102518.7
专利权人：
时间：2012-10-25
专利名称：实现锗基MOS 器件有源区之间隔离的方法
专利号：201210115455.9
专利权人：
时间：2012-11-05
专利名称：一种自对准双层沟道金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法
专利号：20131023377.1
专利权人：
时间：2013-10-21
专利名称：一种自对准金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法
专利号：201310233743.9
专利权人：
时间：2013-03-05
专利名称：源/漏区抬高的顶栅自对准薄膜晶体管及其制作方法
专利号：201310233629.6
专利权人：
时间：2013-03-15
专利名称：薄膜晶体管及其制作方法
专利号：201310130474.3
专利权人：
时间：2013-10-14
专利名称：一种顶栅自对准氧化锌薄膜晶体管的制备方法
专利号：20111040173.0
专利权人：
时间：2011-04-13
专利名称：一种氧化锌基肖特基薄膜晶体管
专利号：20101054752.9
专利权人：
时间：2010-05-12
专利名称：一种顶栅氧化锌薄膜晶体管的制备方法
专利号：20111042337.2
专利权人：
时间：2011-04-23
专利名称：一种氧化锌薄膜晶体管的制晶体管的制备方法
专利号：20121000832
专利权人：
时间：2012-08-13
专利名称：一种底栅自对准氧化锌薄膜晶体管的制备方法
专利号：20121005031
专利权人：
时间：2012-08-02
专利名称：一种氧化锌薄膜晶体管的制备方法
专利号：20121015667
专利权人：
时间：2012-10-06
专利名称：一种3D 氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法
专利号：20121017511
专利权人：
时间：2012-10-05
专利名称：一种底栅薄膜晶体管及其制备方法
专利号：20131001839
专利权人：
时间：2013-01-08
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