专利

专利名称:一种薄膜晶体管及图像显示装置的制作方法
专利号:20091010661
专利权人:
时间:2009-10-10
专利名称:一种薄膜晶体管及其制作方法、图像显示装置
专利号:200910106614.0
专利权人:
时间:2009-10-16
专利名称:半导体精细图形及鳍形场效应管的FIN 体的制作方法
专利号:20101061286
专利权人:
时间:2010-10-21
专利名称:一种自对准薄膜晶体管的制作方法
专利号:20111002067
专利权人:
时间:2011-02-06
专利名称:一种薄膜晶体管的制作方法
专利号:20111002066
专利权人:
时间:2011-10-02
专利名称:一种双极性薄膜晶体管及其制备方法
专利号:20111020640
专利权人:
时间:2011-02-06
专利名称:一种非晶薄膜晶体管及其制备方法
专利号:20111021361
专利权人:
时间:2011-10-21
专利名称:三维半导体器件全能带自洽蒙特卡罗模拟软件
专利号:2010SR024062
专利权人:北京大学
时间:2008-12-30
专利名称:求解量子波尔兹曼方程的蒙特卡罗半导体器件二维模拟软件
专利号:2010SR024078
专利权人:北京大学
时间:2008-06-30
专利名称:微纳米尺度圆形边界界面热阻的测量方法
专利号:ZL201110273484.3
专利权人:北京大学
时间:2011-09-15
专利名称:一种基于平面工艺自对准制备隧穿场效应晶体管的方法
专利号:ZL201010100144.6
专利权人:北京大学
时间:2010-01-10
专利名称:一种半导体纳米圆环的制备方法
专利号:ZL201010506128.7
专利权人:北京大学
时间:2010-05-06
专利名称:一种垂直沟道场效应晶体管及其制备方法
专利号:ZL201010506129.1
专利权人:北京大学
时间:2010-10-15
专利名称:一种应变沟道场效应晶体管及其制备方法
专利号:ZL201010219179.1
专利权人:北京大学
时间:2010-01-22
专利名称:一种可在BJT 和MOSFET 之间相互转变的器件
专利号:ZL201010103868.6
专利权人:北京大学
时间:2010-01-22
上一页