专利

专利名称：基于氧化分凝的埋沟结构硅基围栅晶体管及其制备方法
专利号：ZL201110029601.1
专利权人：北京大学
时间：2011-02-09
专利名称：一种带杂质分凝的复合源MOS晶体管及其制备方法
专利号：ZL201110021486.3
专利权人：北京大学
时间：2011-10-09
专利名称：一种钝化剂及采用该钝化剂对锗基器件表面预处理的方法
专利号：ZL201010269030.4
专利权人：北京大学
时间：2010-06-26
专利名称：一种半导体锗基衬底材料及其制备方法
专利号：ZL201010151362.2
专利权人：北京大学
时间：2010-01-29
专利名称：一种自对准制备平面碰撞电离场效应晶体管的方法
专利号：ZL201010100174.7
专利权人：北京大学
时间：2010-01-19
专利名称：一种静电保护器件及其制备方法
专利号：ZL201010163416.7
专利权人：北京大学
时间：2010-09-01
专利名称：一种抗辐照的多叉指CMOS 器件
专利号：ZL200910087223.5
专利权人：北京大学
时间：2009-04-20
专利名称：二次光刻制备薄膜晶体管的方法
专利号：ZL201010504099
专利权人：北京大学
时间：2010-01-22
专利名称：一种自对准的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法
专利号：ZL200910077731
专利权人：北京大学
时间：2009-06-09
专利名称：一种金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法
专利号：ZL20091007773
专利权人：北京大学
时间：2009-02-13
专利名称：一种晶体管的制造方法
专利号：ZL201110020726
专利权人：北京大学
时间：2011-02-13
专利名称：一种纳米线及纳米线晶体管的制作方法
专利号：ZL201010612857
专利权人：北京大学
时间：2010-12-01
专利名称：一种氧化亚铜薄膜晶体管及其制备方法
专利号：ZL201110194121
专利权人：北京大学
时间：2011-07-12
专利名称：一种基于平面工艺自对准制备隧穿场效应晶体管的方法
专利号：ZL201010100144.6
专利权人：北京大学
时间：2010-01-22
专利名称：一种低功耗高抗干扰性的射频开关
专利号：ZL200910243256.4
专利权人：北京大学
时间：2009-12-29
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