专利

专利名称：MOS DEVICE WITH MEMORY FUNCTION AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
专利号：13/139,063
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-06-10
专利名称：METHOD FOR RESTRICTING LATERAL ENCROACHMENT OF METAL SILICIDE INTO CHANNEL REGION
专利号：13/063,922
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-03-14
专利名称：半导体场效应晶体管及其制作方法
专利号：2.0121E+11
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2012-02-27
专利名称：半导体器件制造方法
专利号：2.0111E+11
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-12-15
专利名称：具有抬升硅化物源漏接触的MOSFET及其制造方法
专利号：201110377995.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-11-23
专利名称：半导体器件
专利号：2.0111E+11
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-11-05
专利名称：半导体存储器件
专利号：201210031886.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2012-02-13
专利名称：半导体存储器件
专利号：201210031880.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2012-02-13
专利名称：一种光照下提高稳定性的双栅氧化物TFT
专利号：201110257633.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-09-01
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201110228166.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-08-10
专利名称：消除接触孔工艺中桥接的方法
专利号：201110208407.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-07-25
专利名称：多栅晶体管及其制造方法
专利号：201110199673.0
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-07-15
专利名称：降低HDPCVD缺陷的方法
专利号：201110187767.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-07-06
专利名称：金属源漏SOI MOS晶体管及其形成方法
专利号：201110161231.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-06-15
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201110165239.0
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-06-20
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