专利
专利名称：纳米线制造方法
专利号：201110159421.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-06-14
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：2.0111E+11
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-06-14
专利名称：避免氧化炉管二氯乙烯失效的方法和装置
专利号：201110157046.0
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-06-11
专利名称：化学机械平坦化后清洗晶圆的方法
专利号：201110149721.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-06-03
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201110165241.8
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-06-20
专利名称：避免半导体制程菜单调试过程中出错的方法及系统
专利号：201110139608.9
专利名称：提高浅沟槽隔离化学机械平坦化均匀性的方法
专利号：201110125319.3
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-05-16
专利名称：避免氧化炉污染的方法
专利号：201110104371.0
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-04-25
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201110104362.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-04-25
专利名称：用于保持热预算稳定的加热方法
专利号：201110104354.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-04-25
专利名称：防止积留水液的热氧化系统和方法
专利号：201110109430.3
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-04-25
专利名称：具有高击穿电压的HEMT及其制造方法
专利号：201110116103.0
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-05-05
专利名称：快速热处理设备的监测方法
专利号：201110095825.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-04-17
专利名称：离子注入设备的监测方法
专利号：201110095828.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-04-17
专利名称：快速热退火设备中氧气浓度的监测方法
专利号：201110097054.0
