专利

专利名称：MOSFET及其制造方法
专利号：201110308827.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-10-12
专利名称：制作鳍式场效应晶体管的方法以及由此形成的半导体结构
专利号：201110295189.8
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-09-28
专利名称：一种半导体结构及其制造方法
专利号：201110280628.8
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-09-20
专利名称：受控横向刻蚀方法
专利号：201110281364.8
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-09-21
专利名称：SRAM单元及其制作方法
专利号：201110282569.8
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-09-21
专利名称：SRAM单元及其制作方法
专利号：201110281517.9
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-09-21
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201110277757.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-09-19
专利名称：石墨烯纳米带的制造方法、MOSFET及其制造方法
专利号：201110274354.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-09-16
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201110270958.9
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-09-14
专利名称：类金刚石衬底上源漏掩埋型石墨烯晶体管器件结构和制作方法
专利号：201110266848.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-09-09
专利名称：低源漏接触电阻MOSFETS及其制造方法
专利号：201110263766.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-09-07
专利名称：脉冲等离子体刻蚀技术
专利号：201110263754.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-09-07
专利名称：高深宽比孔刻蚀技术
专利号：201110263795.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-09-07
专利名称：低源漏接触电阻的MOSFETS及其制造方法
专利号：201110264987.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-09-08
专利名称：混合线条的制造方法
专利号：201110263770.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-09-07
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