专利

专利名称：半导体结构及其制造方法
专利号：201110263440.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-09-07
专利名称：半导体衬底、具有该半导体衬底的集成电路及其制造方法
专利号：201110263458.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-09-07
专利名称：小尺寸鳍形结构的制造方法
专利号：201110261527.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-09-05
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201110265211.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-09-08
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201110265073.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-09-08
专利名称：电子束曝光和普通光学曝光相结合的混合曝光方法（LTO硬掩模）
专利号：201110261526.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-09-05
专利名称：MOSFET及其制造方法
专利号：201110274852.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-09-16
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201110254340.3
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-08-31
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201110254440.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-08-31
专利名称：一种半导体结构及其制造方法
专利号：201110252276.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-08-30
专利名称：一种提高稳定性的氧化物TFT
专利号：201110257880.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-09-01
专利名称：后栅工艺中假栅的制造方法
专利号：201110257658.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-09-01
专利名称：一种提高浅沟槽隔离化学机械平坦化均匀性方法1
专利号：201110257855.9
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-09-01
专利名称：后栅工艺中电极和连线的制造方法
专利号：201110263768.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-09-07
专利名称：一种提高浅沟槽隔离化学机械平坦化均匀性方法和设备
专利号：201110257878.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-09-01
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