专利
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201110254187.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-08-31
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201110253935.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-08-31
专利名称：压应变p-MOSFET器件结构及其制造方法
专利号：201110239100.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-08-19
专利名称：半导体器件
专利号：201110241218.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-08-22
专利名称：半导体器件结构及其制作方法、及半导体鳍制作方法
专利号：201110240931.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-08-22
专利名称：一种半导体结构及其制造方法
专利号：201110238839.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-08-19
专利名称：半导体器件的制造方法
专利号：201110236626.9
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-08-17
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201110234502.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-08-16
专利名称：高压器件的外延层制造方法
专利号：201110235330.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-08-16
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201110234503.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-08-16
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201110225524.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-08-08
专利名称：一种互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法
专利号：201110221375.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-08-03
专利名称：紫外探测器的像素结构、紫外探测器系统及其制造方法
专利号：201110202933.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-07-22
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201110215096.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-07-29
专利名称：半导体器件的制造方法
专利号：201110215069.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-07-29