专利

专利名称：高精度集成电路器件测试设备
专利号：2.0111E+11
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-07-20
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201110203389.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-07-20
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201110197158.9
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-07-14
专利名称：薄膜沉积方法
专利号：201110197889.3
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-07-14
专利名称：半导体器件结构及其制作方法
专利号：201110240932.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-07-15
专利名称：MOSFET及其制造方法
专利号：201110189100.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-07-07
专利名称：一种晶体管和半导体器件及其制作方法
专利号：201110192592.8
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-07-11
专利名称：隔离结构以及半导体结构的形成方法
专利号：201110195439.0
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-07-13
专利名称：一种半导体场效应晶体管结构及其制备方法
专利号：201110212835.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-07-27
专利名称：一种半导体器件结构及其制备方法
专利号：201110212808.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-07-27
专利名称：一种全硅化金属栅体硅多栅鳍型场效应晶体管的制备方法
专利号：201110190699.9
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-07-08
专利名称：一种晶体管及其制作方法和包括该晶体管的半导体芯片
专利号：201110188060.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-07-06
专利名称：半导体器件结构及其制作方法
专利号：201110198180.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-07-15
专利名称：纳米器件沟道超薄栅介质电容测试方法
专利号：201110188786.0
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-07-05
专利名称：3D集成电路结构以及检测芯片结构是否对齐的方法
专利号：201110187333.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-07-05
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