专利
专利名称：晶体管及其形成方法
专利号：201110185303.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-07-04
专利名称：MOSFET及其制造方法
专利号：201110178387.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-06-29
专利名称：多栅器件的形成方法
专利号：201110182408.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-06-30
专利名称：绝缘栅控横向场发射晶体管及其驱动方法
专利号：201110181695.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-06-30
专利名称：一种半导体结构及其制造方法
专利号：201110174687.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-06-27
专利名称：一种半导体结构及其制造方法
专利号：201110182573.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-06-30
专利名称：一种半导体结构及其制造方法
专利号：201110183367.8
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-06-30
专利名称：MOSFET及其制造方法
专利号：201110170875.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-06-23
专利名称：MOSFET及其制造方法
专利号：201110170497.8
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-06-23
专利名称：一种半导体结构及其制造方法
专利号：201110175476.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-06-27
专利名称：一种半导体结构及其制造方法
专利号：201110175056.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-06-27
专利名称：一种半导体结构及其制造方法
专利号：201110174874.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-06-27
专利名称：一种半导体结构及其制造方法
专利号：201110175568.3
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-06-27
专利名称：一种半导体结构及其制造方法
专利号：201110166510.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-06-20
专利名称：多晶硅假栅移除后的监控方法
专利号：201110165279.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-06-20