专利
专利名称：基于PNPN的SRAM电路及其读写方法
专利号：201110169833.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-06-22
专利名称：多栅器件的形成方法
专利号：201110182423.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-06-30
专利名称：一种半导体结构及其制造方法
专利号：201110166632.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-06-20
专利名称：一种半导体结构及其制造方法
专利号：201110183555.0
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-06-30
专利名称：一种半导体结构及其制造方法
专利号：201110166549.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-06-20
专利名称：一种半导体结构及其制造方法
专利号：201110158857.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-06-13
专利名称：半导体器件中金属厚度的量测方法
专利号：201110156411.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-06-11
专利名称：半导体器件的制备方法
专利号：201110155636.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-06-10
专利名称：一种半导体器件的替代栅集成方法
专利号：201110181587.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-06-30
专利名称：一种应变半导体沟道的形成方法
专利号：201110171241.9
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-06-23
专利名称：鳍式场效应晶体管的制造方法
专利号：201110144894.8
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-05-31
专利名称：一种半导体结构及其制造方法
专利号：201110154452.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-06-09
专利名称：一种半导体结构及其制造方法
专利号：201110154424.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-06-09
专利名称：金属栅CMP后的制程监控方法
专利号：201110150043.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-06-03
专利名称：后栅工艺移除多晶硅假栅制程的监控方法
专利号：201110149722.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-06-03