专利
专利名称：多晶硅栅极的制造方法
专利号：201110138214.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-05-26
专利名称：阱区的形成方法和半导体基底
专利号：201110144978.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-05-31
专利名称：一种半导体结构的制造方法
专利号：201110141244.8
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-05-27
专利名称：n型半导体器件及其制造方法
专利号：201110183594.0
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-06-30
专利名称：一种高k栅介质界面优化方法
专利号：201110149701.8
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-06-03
专利名称：燃料电池的MEMS制造方法
专利号：201110133383.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-05-23
专利名称：燃料电池极板的MEMS制造方法
专利号：201110134239.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-05-23
专利名称：一种嵌入区的形成方法以及嵌入源漏的形成方法
专利号：201110129620.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-05-18
专利名称：界面层的形成方法
专利号：201110130077.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-05-18
专利名称：一种存储器及其制造方法
专利号：201110143077.0
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-05-30
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201110137573.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-05-24
专利名称：半导体结构及其制作方法
专利号：201110126832.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-05-17
专利名称：鳍式场效应晶体管及其制造方法
专利号：201110116545.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-05-06
专利名称：感应栅型非晶态金属氧化物TFT气体传感器
专利号：201110117657.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-05-09
专利名称：可集成的非晶态金属氧化物半导体气体传感器
专利号：201110117658.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-05-09