专利
专利名称：一种半导体器件的制造方法
专利号：201110121071.3
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-05-11
专利名称：一种半导体工艺方法
专利号：201110118465.3
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-05-09
专利名称：半导体器件及半导体存储装置
专利号：201110114256.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-05-04
专利名称：嵌入式源/漏MOS晶体管及其形成方法
专利号：201110112309.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-04-29
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201110090704.9
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-04-12
专利名称：半导体器件制造方法
专利号：201110104317.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-04-22
专利名称：化学机械抛光设备及化学机械抛光方法
专利号：201110106990.3
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-04-27
专利名称：一种半导体结构及其制造方法
专利号：201110173892.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-06-24
专利名称：一种隧穿场效应晶体管及其制造方法
专利号：201110100732.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-04-21
专利名称：浅沟槽隔离结构、其制作方法及基于该结构的器件
专利号：201110099133.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-04-20
专利名称：锗衬底上制备金属-氧化物-半导体场效应晶体管方法
专利号：201110090483.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-04-12
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201110094967.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-04-15
专利名称：互连结构及其形成方法
专利号：201110092126.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-04-13
专利名称：半导体场效应晶体管的制备方法
专利号：201110172967.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-06-24
专利名称：一种半导体场效应晶体管的制备方法
专利号：201110174333.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-06-24