专利
专利名称：一种制作晶体管和半导体器件的方法
专利号：201110083546.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-04-10
专利名称：半导体器件及其形成方法
专利号：201110080739.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-03-31
专利名称：一种薄膜填充方法
专利号：201110070705.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-03-23
专利名称：PMOS器件叠层结构的制备和栅功函数的调节方法
专利号：201110046360.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-02-25
专利名称：一种半导体器件及其制造方法
专利号：201110066371.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-03-18
专利名称：一种半导体结构及其制造方法
专利号：201110066929.0
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-03-18
专利名称：半导体结构及其制造方法
专利号：201110068078.3
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-03-22
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201110068069.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-03-22
专利名称：一种半导体结构及其制造方法
专利号：201110053301.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-03-04
专利名称：栅极结构及其制造方法
专利号：201110052271.8
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-03-04
专利名称：一种半导体结构及其制造方法
专利号：201110053469.8
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-03-07
专利名称：牺牲栅去除方法及栅堆叠制作方法
专利号：201110051453.3
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-03-03
专利名称：浅沟槽隔离及其形成方法
专利号：201110048000.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-02-28
专利名称：一种半导体器件的制备方法
专利号：201110046790.3
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-02-25
专利名称：一种鳍型场效应晶体管的制备方法
专利号：201110046786.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-02-25