专利

专利名称：一种Ω形鳍片的制备方法
专利号：201110046371.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-02-25
专利名称：一种半导体器件及其制造方法
专利号：201110045404.9
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-02-24
专利名称：一种SOI衬底隔离的形成方法
专利号：201110044647.0
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-02-21
专利名称：半导体衬底隔离的形成方法
专利号：201110041586.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-02-21
专利名称：一种形成半导体结构的方法
专利号：201110033687.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-01-30
专利名称：半导体器件
专利号：201110031550.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-01-29
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201110029212.9
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-01-26
专利名称：器件电学特性相关性分析方法及器件结构优化方法
专利号：201110023167.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-01-20
专利名称：半导体结构及其制造方法
专利号：201110008002.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-01-14
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201110006429.8
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-01-13
专利名称：向沟道中引入应变的方法和使用该方法制作的器件
专利号：201110007408.8
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-01-14
专利名称：微细结构的光刻方法
专利号：201110006476.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-01-13
专利名称：提高后栅工程中金属插塞化学机械平坦化工艺均匀性的方法
专利号：2.0111E+11
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-01-11
专利名称：器件性能预测方法及器件结构优化方法
专利号：201110005923.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-01-12
专利名称：半导体结构及其制作方法
专利号：201110006103.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-01-12
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