专利
专利名称：半导体器件及其制作方法
专利号：201110005924.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-01-12
专利名称：一种Mo基/TaN金属栅叠层结构的刻蚀方法
专利号：201010223348.9
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-06-30
专利名称：一种HfSiAlON高K介质的干法刻蚀方法
专利号：201010223352.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-06-30
专利名称：一种插入式TiN金属栅叠层结构的制备和刻蚀方法
专利号：201010157530.9
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-04-21
专利名称：以氮化铝为势垒层的Mo基金属栅叠层结构的刻蚀方法
专利号：201010157538.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-04-21
专利名称：半导体器件的制造方法
专利号：201010620578.9
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-12-31
专利名称：半导体结构及其制备方法
专利号：201110000433.3
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-01-04
专利名称：半导体器件及其制作方法
专利号：201010617447.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-12-31
专利名称：隧穿场效应晶体管及其制造方法
专利号：201010620557.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-12-31
专利名称：半导体器件的形成方法
专利号：201010617419.3
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-12-31
专利名称：半导体结构及其制造方法
专利号：201010617456.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-12-31
专利名称：半导体器件及其形成方法
专利号：201010617418.9
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-12-31
专利名称：MOS晶体管及其制作方法
专利号：201010612589.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-12-29
专利名称：MOS晶体管及其形成方法
专利号：201010618284.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-12-31
专利名称：半导体器件及其形成方法
专利号：201010612577.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-12-29