专利

专利名称：晶体管及其制造方法
专利号：201010622874.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-12-29
专利名称：MOS晶体管及其制作方法
专利号：201010606342.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-12-24
专利名称：MOS晶体管及其制作方法
专利号：201010606316.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-12-24
专利名称：带绒面导电氧化锌薄膜的晶体硅太阳能电池及其制造方法
专利号：201010607488.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-12-27
专利名称：层间电介质的近界面平坦化回刻方法
专利号：201110003118.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2011-01-07
专利名称：层间电介质层的平面化方法
专利号：201010601744.0
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-12-22
专利名称：半导体器件的制造方法
专利号：201010601699.9
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-12-22
专利名称：化学机械抛光设备及其预热方法
专利号：201010599278.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-12-21
专利名称：自对准式二次成像方法
专利号：201010611749.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-12-28
专利名称：一种半导体器件的制造方法
专利号：201010594946.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-12-17
专利名称：晶体管、包括该晶体管的半导体器件及其制造方法
专利号：201010610932.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-12-17
专利名称：一种MOS管及其制造方法
专利号：201010587887.0
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-12-14
专利名称：MOSFET及其制造方法
专利号：201010573204.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-12-03
专利名称：MOSFET及其制造方法
专利号：201010573334.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-12-03
专利名称：一种环绕栅场效应晶体管的制备方法
专利号：201010578678.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-12-08
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