专利
专利名称：一种悬空鳍片的制备方法
专利号：201010578567.9
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-12-08
专利名称：一种半导体结构及其制造方法
专利号：201010572616.8
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-12-03
专利名称：一种半导体结构及其制造方法
专利号：201010572608.3
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-12-03
专利名称：可调节沟道应力的器件与方法
专利号：201010586003.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-12-06
专利名称：一种半导体器件及其形成方法
专利号：201010557270.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-11-22
专利名称：用于集成电路的衬底及其形成方法
专利号：201010574562.9
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-11-30
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201010576904.0
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-12-01
专利名称：SOG层和光致抗蚀剂层的反应离子刻蚀方法
专利号：201010601185.3
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-12-22
专利名称：化学机械平坦化方法和后金属栅的制作方法
专利号：201010567260.9
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-11-30
专利名称：半导体晶片的制造方法
专利号：201010591794.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-12-08
专利名称：一种化学机械平坦化的方法
专利号：201010571662.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-11-29
专利名称：一种6T CMOS SRAM单元
专利号：201010571664.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-11-29
专利名称：半导体器件的制造方法
专利号：201010571661.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-11-29
专利名称：提高金属栅化学机械平坦化工艺均匀性的方法
专利号：201010571656.0
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-11-29
专利名称：一种全硅化金属栅MOSFET器件的制备方法
专利号：201010573811.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-11-30