专利
专利名称：沟槽隔离结构及其形成方法
专利号：201010557395.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-11-23
专利名称：沟槽隔离结构及其形成方法
专利号：201010552589.8
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-11-19
专利名称：沟槽隔离结构及其形成方法
专利号：201010552318.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-11-19
专利名称：一种半导体结构及其制造方法
专利号：201010551454.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-11-18
专利名称：一种半导体器件及其形成方法
专利号：201010548655.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-11-18
专利名称：一种半导体器件及其形成方法
专利号：201010574353.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-11-30
专利名称：采用后栅工艺制备CMOS器件中接触孔的方法
专利号：201010542475.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-11-11
专利名称：堆叠的半导体器件及其制造方法
专利号：201010540727.0
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-11-10
专利名称：一种半导体结构及其制造方法
专利号：201010574357.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-11-30
专利名称：一种金属互连结构及其形成方法
专利号：201010539400.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-11-08
专利名称：一种半导体结构及其制造方法
专利号：201010526916.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-10-29
专利名称：应力隔离沟槽半导体器件及其形成方法
专利号：201010527238.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-10-29
专利名称：应力隔离沟槽半导体器件的形成方法
专利号：201010527260.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-10-29
专利名称：一种场效应晶体管的制备方法
专利号：201010531982.9
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-10-29
专利名称：一种鳍片的制备方法
专利号：201010531980.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-10-29