专利

专利名称：一种石墨烯器件及其制造方法
专利号：201010532003.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-10-29
专利名称：半导体结构及其制作方法
专利号：201010527273.3
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-10-29
专利名称：晶体管及其制造方法
专利号：201010532050.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-10-29
专利名称：一种提高电子束曝光效率的方法
专利号：201010541030.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-11-10
专利名称：一种高K栅介质的刻蚀方法
专利号：201010541140.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-11-10
专利名称：一种高Ｋ栅介质/金属栅叠层栅结构刻蚀后聚合物的去除方法
专利号：201010541134.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-11-10
专利名称：半导体结构及其形成方法
专利号：201010529707.3
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-10-28
专利名称：接触电极制造方法和半导体器件
专利号：201010531985.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-10-29
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201010527470.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-10-27
专利名称：一种衬底结构、半导体器件及其制造方法
专利号：201010520798.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-10-21
专利名称：晶体管及其制造方法
专利号：201010532061.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-10-29
专利名称：晶体管及其制造方法
专利号：201010532062.9
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-10-29
专利名称：一种栅极刻蚀方法
专利号：201010527477.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-10-27
专利名称：半导体结构及其制造方法
专利号：201010527488.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-10-27
专利名称：一种隔离结构及制造方法、以及具有该结构的半导体器件
专利号：201010540071.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-11-09
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