专利

专利名称：一种半导体结构及其制造方法
专利号：201010296962.8
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-09-29
专利名称：线宽测量方法
专利号：201010500353.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-09-29
专利名称：一种半导体结构及其制造方法
专利号：201010501727.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-09-30
专利名称：半导体器件及其制造方法
专利号：201010299028.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-09-29
专利名称：半导体结构的制造方法
专利号：201010501712.3
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-09-30
专利名称：一种半导体结构及其形成方法
专利号：201010501685.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-09-30
专利名称：一种半导体结构及其形成方法
专利号：201010501694.9
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-09-30
专利名称：一种闪存器件及其形成方法
专利号：201010296053.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-09-28
专利名称：一种石墨烯器件及其制造方法
专利号：201010287078.8
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-09-17
专利名称：一种SOI衬底和具有SOI衬底的半导体器件及其形成方法
专利号：201010291541.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-09-25
专利名称：一种隔离结构及制造方法、以及具有该结构的半导体器件
专利号：201010296063.8
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-09-28
专利名称：3D集成电路结构及其形成方法
专利号：201010502039.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-09-30
专利名称：晶体管及其制造方法
专利号：201010284792.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-09-15
专利名称：金属栅层/高K栅介质层叠层结构刻蚀后的清洗方法
专利号：201010284183.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-09-15
专利名称：一种金属栅层高K/栅介质层的叠层结构的刻蚀方法
专利号：201010269029.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-08-31
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