专利

专利名称：半导体结构的制造方法
专利号：201010269267.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-08-31
专利名称：半导体结构及其制造方法
专利号：201010269260
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-08-31
专利名称：电熔丝结构及其形成方法
专利号：201010259667.5
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-08-20
专利名称：一种半导体结构及其制造方法
专利号：201010264536.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-08-26
专利名称：电熔丝结构及其形成方法
专利号：201010246391.7
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-08-05
专利名称：超薄体晶体管及其制作方法
专利号：201010257023.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-08-18
专利名称：基于霍尔效应的MOS晶体管
专利号：201010259644.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-08-20
专利名称：半导体器件结构的制造方法及其结构
专利号：201010258369.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-08-19
专利名称：半导体器件及其局部互连结构的制造方法
专利号：201010259626.6
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-08-20
专利名称：MOS晶体管源漏应力区的形成方法及MOS晶体管制作方法
专利号：201010255386.2
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-08-16
专利名称：一种纳米线堆叠结构及其形成方法和半导体层图形化方法
专利号：201010230775.X
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-07-13
专利名称：半导体器件结构及其制造方法
专利号：201010242725.3
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-07-30
专利名称：半导体器件结构及其制作方法
专利号：201010242704.1
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-07-30
专利名称：半导体器件结构及其制造方法
专利号：201010241036
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-07-29
专利名称：半导体结构及其制作方法
专利号：201010240109.4
专利权人：中国科学院微电子研究所
时间：2010-07-28
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